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SPB-G56S

更新时间： 2024-01-25 23:04:33
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Schottky Barrier Diodes (Power Surface Mount) 30V, 40V, 60V

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SPB-G56S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SPB-G56S 数据手册

  
Schottky Barrier Diodes (Power Surface Mount) 30V, 40V, 60V  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(mA)  
IR  
t
rr  
(H)  
(mA)  
Rth (j-c)  
Mass  
(g)  
(ns)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
Remarks  
Type No.  
max per  
element  
VR =VRM  
max per element  
V
R
=V  
, Ta=100°C  
IF  
(A)  
IF  
/IRP  
RM  
(°C/ W)  
max per element  
(mA)  
30  
30  
6.0  
6.0  
0.45  
3.0  
3.5  
—
—
SPJ-63S  
(Tj=125°C)  
Center-tap  
50  
3.0  
SPB-64S  
5.0  
0.29  
A
50  
50 100/100  
3.0  
0.55  
SPB-G34S  
SPB-G54S  
MPE-24H  
SPB-G56S  
1 Chip  
–40 to +150  
40  
60  
60  
100  
60  
5.0  
7.5  
5.0  
5.0  
5.0  
50  
B
A
15.0  
6.0  
0.6  
0.7  
0.75  
3.0  
—
—
2.5  
5.0  
1.04 Center-tap  
0.29 1 Chip  
(Tj=150°C)  
50  
50 100/100  
SPJ -63S  
IFMS Rating  
50  
20ms  
40  
30  
20  
10  
0
1
1
1
5
10  
50  
50  
50  
Overcurrent Cycles  
SPB-64S  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR—IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF(AV) Derating  
V
R=40V  
100  
10  
50  
40  
30  
20  
10  
0
30  
10  
6.0  
Sinewave  
D.C.  
5.0  
20ms  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
=
t / T 1/6  
1
0.1  
4.0  
3.0  
2.0  
1
=
t / T 1/ 3  
=
t / T 1/2  
60ºC  
27ºC  
0.1  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
0.01  
1.0  
0
27ºC  
0.001  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
5
10  
70  
80  
90  
100  
110 120  
130  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
SPB-G34S  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR—IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF(AV) Derating  
VR=40V  
D.C.  
3.0  
100  
50  
40  
30  
20  
10  
0
30  
10  
2.5  
2.0  
1.5  
=
20ms  
T
a
125ºC  
100ºC  
10  
1
1
0.1  
=
t / T 1/6  
=
t / T 1/ 3  
60ºC  
=
1.0  
0.5  
0
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
=
t / T 1/2  
0.1  
0.01  
0.001  
28ºC  
30  
28ºC  
Sinewave  
0.01  
0.005  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
10  
20  
40  
50  
60  
5
10  
95  
100 105 110  
115 120  
125  
Case Temperature Tc (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
2.3±0.4  
5.4  
4.1  
External Dimensions Fig.  
(Unit: mm)  
A
6.5±0.4  
5.4±0.4  
Fig.  
B
0.55 ±0.1  
10.2  
4.44  
1.3  
2.9  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
➀
➁
4.9  
➂
1.27  
1.2  
0 to 0.25  
Type No.  
Polarity  
Lot No.  
➀
➁
➂
2.59  
1.15±0.1  
0.8±0.1  
0.8±0.1  
0.86  
2.29±0.5  
2.29±0.5  
1
2
(Common to backside of case)  
3
Anode  
0.55 ±0.1  
0.76  
2.54  
1 Chip  
Center-tap  
N.C  
Cathode  
0.4  
2.54  
1.5 max  
Anode  
Cathode (Common) Anode  
1
2
3
86  
1

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