5秒后页面跳转
SOB2UV6412-125T-S PDF预览

SOB2UV6412-125T-S

更新时间: 2024-10-02 18:44:51
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 197K
描述
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 7.5ns, CMOS, PDMA144

SOB2UV6412-125T-S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SODIMM
包装说明:DIMM, DIMM144,32针数:144
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:7.5 ns最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:144
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
最大待机电流:0.016 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.8 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

SOB2UV6412-125T-S 数据手册

 浏览型号SOB2UV6412-125T-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SOB2UV6412-125T-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SOB2UV6412-125T-S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SOB2UV6412-125T-S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SOB2UV6412-125T-S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SOB2UV6412-125T-S的Datasheet PDF文件第7页 

与SOB2UV6412-125T-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SOB2UV6412-67T-S FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, PDMA144
SOB2UV6412-84T-S FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144
SOB2UV6482-125T-S FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 7.5ns, CMOS, PDMA144
SOB2UV6482-84T-S FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144
SOB542460 CELDUC

获取价格

Double Solid State Relay
SOB665300 CELDUC

获取价格

Double Power Solid State Relay
SOB763670 CELDUC

获取价格

Double Power Solid State Relay
SOB765670 CELDUC

获取价格

Double Power Solid State Relay
SOB767670 CELDUC

获取价格

Double Power Solid State Relay
SOB863860 CELDUC

获取价格

Dual Power Solid State Relay