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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257 |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNF1423SLX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SNF1423TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SNF1423VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SNF1423VX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SNF201002 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SNF202007 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF203009 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF20504 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SNF20712 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 700V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SNF20714 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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