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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.39 | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNF202007 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF203009 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF20504 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SNF20712 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 700V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SNF20714 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF20924 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SNF240SLP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF240TP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF240TX | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SNF240VP | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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