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SNF240VP

更新时间: 2024-10-02 06:48:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 296K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257

SNF240VP 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-257JESD-30 代码:R-MSFM-P3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SNF240VP 数据手册

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