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SNA-576-TR1

更新时间： 2024-02-14 22:33:15

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STANFORD		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
DC-3 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier

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技术参数
数据手册

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SNA-576-TR1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SL,4LEAD,.073CIRC	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	15 dB	最大输入功率 (CW)：	23 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	4
最大工作频率：	3000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-45 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	SL,4LEAD,.073CIRC
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	1.5
Base Number Matches：	1

SNA-576-TR1 数据手册

SNA-576 DC-3 GHz Cascadable MMIC Amplifier

Absolute Maximum Ratings

Part Number Ordering Information

A bsolu te

Param eter

Part Number

Devices Per Reel

Reel Size

M axim um

SNA-576-TR1

1000

Device Current

Power Dissipation

100m A

560m W

SNA-576-TR2

SNA-576-TR3

3000

5000

13"

RF Input Power

200m W

Junction Tem perature

Operating Temperature

Storage Temperature

+200C

-45C to +85C

-65C to +150C

Recommended Bias Resistor Values

Supply

Notes:

7.5V

12V

100

15V

143

20V

214

Voltage(Vs)

1. Operation of this device above any one of

these parameters may cause permanent

damage.

Rbias (Ohms)

* Needs active biasing for constant current source

MTTF vs. Temperature @ Id = 70mA

6.0

Junction

Lead Temperature

MTTF (hrs)

1000000

100000

Temperature

+45C

+155C

+80C

+190C

+220C

5.0

+110C

10000

Thermal Resistance (Lead-Junction): 315° C/W

Typical Biasing Configuration

Pin Designation

RF in

GND

RF out

and Bias

GND

Typical Performance at 25° C

Device Voltage vs. Current - Id

Power Gain vs. Device Current

5.5

Vdc

80mA

40mA

4.5

70mA

60mA

50mA

GHz

522 Almanor Ave., Sunnyvale, CA 94086

Phone: (800) SMI-MMIC

http://www.stanfordmicro.com

5-75

1 23

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