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SNA-276-TR2

更新时间： 2024-01-24 15:21:13

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STANFORD		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
DC-6.5 GHz, Cascadable GaAs MMIC Amplifier

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SNA-276-TR2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SL,4LEAD,.073CIRC
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	15 dB
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	4
最大工作频率：	6500 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	SL,4LEAD,.073CIRC
电源：	4 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比：	1.5	Base Number Matches：	1

SNA-276-TR2 数据手册

SNA-276 DC-6.5 GHz Cascadable MMIC Amplifier

Absolute Maximum Ratings

Part Number Ordering Information

Part Number

Devices Per Reel

Reel Size

A bsolute

Param eter

M axim um

SNA-276-TR1

1000

Device Current

Power Dissipation

70mA

320m W

SNA-276-TR2

SNA-276-TR3

3000

5000

13"

RF Input Power

100m W

Junction Temperature

Operating Temperature

Storage Tem perature

+200C

-45C to +85C

-65C to +150C

R ecomm ended B ias R esistor Values

Supply

7.5V

12V

160

15V

220

20V

320

Voltage(Vs)

Notes:

Rbias (Ohms)

100

1. Operation of this device above any one of

these parameters may cause permanent

damage.

MTTF vs. Temperature @ Id = 50mA

Junction

Lead Temperature

+45C

MTTF (hrs)

1000000

100000

Temperature

+155C

+80C

+190C

+220C

+110C

10000

Thermal Resistance (Lead-Junction): 556° C/W

Typical Biasing Configuration

Pin Designation

RF in

GND

RF out and

Bias

GND

Typical Performance at 25° C

Power Gain vs. Device Current

Device Voltage vs. Id

4.5

60mA

50mA

40mA

3.5

30mA

25mA

0.2

0.5

1.0

1.25

1.5

1.75

2.0

GHz

522 Almanor Ave., Sunnyvale, CA 94086

Phone: (800) SMI-MMIC

http://www.stanfordmicro.com

5-27

1 23

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