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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | DRAM IS CONFIGURED AS 4 K X 1 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 12.8 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 1 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX1 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SN74LS600AJ | TI |
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暂无描述 |
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| SN74LS600AJP4 | TI |
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SN74LS600AJP4 |
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| SN74LS600AN | ROCHESTER |
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DRAM CONTROLLER, PDIP20 |
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| SN74LS600AN1 | TI |
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IC,MEMORY CONTROLLER,LS-TTL,DIP,20PIN |
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| SN74LS600AN3 | TI |
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16KX1, DRAM CONTROLLER, PDIP20 |
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| SN74LS600ANP1 | TI |
获取价格 |
IC,MEMORY CONTROLLER,LS-TTL,DIP,20PIN |
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| SN74LS600ANP3 | TI |
获取价格 |
SN74LS600ANP3 |
|
| SN74LS600JP4 | TI |
获取价格 |
SN74LS600JP4 |
|
| SN74LS600N | TI |
获取价格 |
IC,MEMORY CONTROLLER,LS-TTL,DIP,20PIN |
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| SN74LS600NP1 | TI |
获取价格 |
IC,MEMORY CONTROLLER,LS-TTL,DIP,20PIN |
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