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SMV2023-000

更新时间： 2024-02-06 17:47:38
品牌 Logo 应用领域
阿尔法 - ALPHA 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
2页 290K
描述
Silicon Hyperabrupt Varactor Diode Chips

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SMV2023-000 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：S-XUUC-N1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.16Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最小击穿电压：22 V
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
最小二极管电容比：4.2标称二极管电容：10.8 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：S-XUUC-N1元件数量：1
端子数量：1封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.25 W
认证状态：Not Qualified最小质量因数：400
最大重复峰值反向电压：22 V子类别：Varactors
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
变容二极管分类：HYPERABRUPTBase Number Matches：1

SMV2023-000 数据手册

 浏览型号SMV2023-000的Datasheet PDF文件第2页 
Silicon Hyperabrupt Varactor Diode Chips  
SMV2019 to SMV2023  
Features  
I High Q for Low Loss Resonators  
I Low Leakage Current  
I High Tuning Ratio for Wideband VCOs  
I SPICE Model Parameters  
I Small Footprint Chip Design  
Description  
Alpha Industries’ product line of silicon hyperabrupt  
junction varactor diode chips are processed using  
established ion-implantation technology resulting in low  
RS wide tuning ratio devices with high Q values. These  
planar chips have a small outline size (12 x 12 mils  
nominal) and are fully passivated resulting in low  
leakage current and high reliability.These varactor chips  
are intended for assembly in hybrid integrated circuit  
resonators used in VCOs and analog tuned filters.  
Electrical Specifications at 25°C  
CJ @ 0 V  
CJ @ 4 V  
(pF)  
CJ @ 20 V  
(pF)  
Q @ 4 V  
50 MHz  
1 GHz  
RS @ 4 V (Ω)  
IR @17.6 V  
(nA)  
Contact  
Diam. (mils)  
1
2
3
4
Part Number  
(pF)  
Typ.  
2.3  
Min.  
0.68  
1.13  
1.58  
2.48  
4.28  
Max.  
0.88  
1.43  
1.98  
3.08  
5.28  
Min.  
0.13  
0.23  
0.32  
0.48  
0.78  
Max.  
Min.  
500  
500  
500  
400  
400  
Typ.  
4.8  
4.1  
2.8  
2.2  
1.4  
Max.  
50  
Nom.  
2.00  
2.50  
3.00  
3.75  
5.00  
SMV2019-000  
SMV2020-000  
SMV2021-000  
SMV2022-000  
SMV2023-000  
0.23  
0.33  
0.44  
0.68  
1.08  
3.1  
50  
4.5  
50  
7.1  
50  
10.8  
50  
1. All capacitance values specified at 1 MHz.  
2. 50 MHz Q calculated from 1 GHz RS and 1 MHz CJ.  
3. VB at 10 µA specified at 22 V Min.  
4. Outline drawing 149-801.  
Outline Drawing  
149-801  
Absolute Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
22 V  
Reverse Voltage (VR)  
ANODE METALIZED GOLD DOT  
0.002 (0.051 mm) DIA. MIN.  
Forward Current (IF)  
100 mA  
250 mW  
0.010 (0.254 mm) MIN.  
0.014 (0.356 mm) MAX. SQ.  
Power Dissipation at 25°C (PD)  
Operating Temperature (TOP  
Storage Temperature (TST  
)
-55°C to +150°C  
-65°C to +200°C  
)
SILICON  
0.004 (0.127 mm) MIN.  
0.006 (0.152 mm) MAX.  
CATHODE METALIZED BACK  
CONTACT - GOLD  
Alpha Industries, Inc. [781] 935-5150 • Fax [617] 824-4579 • Email sales@alphaind.com • www.alphaind.com  
1
Specifications subject to change without notice. 8/01A  
12

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