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SMU10P05

更新时间: 2024-01-21 12:22:24
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251,

SMU10P05 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.28 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SMU10P05 数据手册

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