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SMU15N05

更新时间: 2024-02-20 13:36:50
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 354K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Transistors

SMU15N05 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.73
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:50 V最大漏极电流 (ID):3.3 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):200 ns
最大开启时间(吨):115 nsBase Number Matches:1

SMU15N05 数据手册

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