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SML400HB01MF

更新时间： 2024-01-26 01:47:16

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HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS

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SML400HB01MF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	METAL PACKAGE-9
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH REALIBILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	400 A	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-MUFM-X9	元件数量：	2
端子数量：	9	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	240 ns
标称接通时间 (ton)：	110 ns	Base Number Matches：	1

SML400HB01MF 数据手册

SML400HB01MF

Attributes:

-aerospace build standard

-high reliability

-lightweight

-metal matrix base plate

-AlN isolation

-Mosfet module

Maximum rated values/Electrical Properties

Source-drain voltage V_DSS

Tj=25C to 175C

Rgs=1MΩ

V_DSS

100

DC Collector Current I_D25

Tc=25C

Tc=25C,Tvj=175C

I_c, nom

400

Repetitive peak Drain Current

Total Power Dissipation

tp=1msec,Tc=80C

Tc=25C

I_crm

P_tot

600

1700

Gate-emitter peak voltage

Continuous

Transient

V_GS

I_frm

+/-20

=/-30

Repetitive Peak

Forward Current

tp=1msec

600

Isolation voltage

RMS, 50Hz, t=1min

V_isol

2500

MIN TYP MAX

BV_DSS100

Drain-source breakdown I_D=250µA,V_GS=0V,

voltage

Tc=25C

Gate Threshold voltage

I_D=8mA,V_DS=V_GS, Tvj=25C Vge_(th)3.0

f=1MHz,Tvj=25C,Vgs=0V,V_DS=0V

15200

5800

1720

Tvj=25C,V_DS=0.5V_DSS,ID=0.5I_D25,V_GS=10V

470

100

270

Gate-source leakage

current

V_GS=+/-20V,

V_GS=0V,Tvj=25C

I_GSS

+/-200

Drain source leakage

current

V_DS=V_GS=20V,

Tvj=25C

Tvj=150C

Tvj=175C

I_DSS

µA

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