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SMDJ130A-HR

更新时间: 2024-11-25 13:13:43
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力特 - LITTELFUSE 瞬态抑制器二极管电视光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
146页 3317K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

SMDJ130A-HR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-214AB包装说明:R-PDSO-J2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.4其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压:159 V最小击穿电压:144 V
击穿电压标称值:151.5 V最大钳位电压:209 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AB
JESD-30 代码:R-PDSO-J2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:6.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:130 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

SMDJ130A-HR 数据手册

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(TVS) Diode Products  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
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