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SMBL1G200US60

更新时间： 2024-01-18 07:50:54
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网电动机控制栅瞄准线开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 458K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 7PM-BA, 7 PIN

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SMBL1G200US60 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：200 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X7
元件数量：1端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：830 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：540 ns
标称接通时间 (ton)：250 nsVCEsat-Max：2.7 V
Base Number Matches：1

SMBL1G200US60 数据手册

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Preliminary  
SMBL1G200US60  
IGBT MODULE  
FEATURES  
High Speed Switching  
Low Conduction Loss  
: VCE(sat) = 2.1 V (typ)  
Fast & Soft Anti-Parallel FWD  
Short circuit rated  
: Min 10uS at Tc=100  
APPLICATIONS  
Package code : 7-PM-BA  
G2  
E2  
Boost(Step Up) Converter  
Dynamic Braking for Motor Drive  
C2E1  
E2  
C1  
Internal Circuit Diagram  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Rating  
Units  
Characteristics  
VCES  
VGES  
IC  
600  
20  
V
V
A
A
A
A
W
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
200  
400  
Collector Current @ Tc = 25  
Pulsed Collector Current  
ICM (1)  
IF  
200  
400  
Diode Continuous Forward Current @ Tc = 25  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation @Tc = 25  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
IFM  
PC  
830  
Tj  
-40 ~ 150  
-40 ~ 125  
2500  
Tstg  
Viso  
V
Isolation Voltage @ AC 1 min  
2.0  
N.m  
N.m  
Mounting Torque @ Power terminals screw :M5  
Mounting screw :M6  
2.5  
Notes: (1) Repetitive Rating : Pulse width Limited by Max.Junction Temperature  
Rev.B  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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