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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 264 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 155 ns | VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBL1G75US60 | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 7PM-AA, 7 PIN |
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| SMBLCE10-HR | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件 |
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| SMBLCE10-HRA | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HRA高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事 |
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| SMBLCE11-HR | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件 |
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| SMBLCE11-HRA | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HRA高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事 |
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| SMBLCE12-HR | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件 |
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| SMBLCE12-HRA | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HRA高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事 |
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| SMBLCE13-HR | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件 |
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| SMBLCE13-HRA | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HRA高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事 |
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| SMBLCE14-HR | LITTELFUSE |
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SMBLCE-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件 |
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