是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.25 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
最大击穿电压: | 8.6 V | 最小击穿电压: | 7.78 V |
击穿电压标称值: | 8.37 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大重复峰值反向电压: | 7 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ7.0A / CA | SWST |
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瞬态电压抑制管 | |
SMBJ7.0A/5 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTI | |
SMBJ7.0A/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ7.0A/TR13 | KEMET |
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KEMET, SMBJ, TVS, Commercial Grade | |
SMBJ7.0A-13-F | DIODES |
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600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
SMBJ7.0A-AT | UNSEMI |
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Surface Mount Transient Voltage Suppressors | |
SMBJ7.0AD / CAD | SWST |
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瞬态电压抑制管 | |
SMBJ7.0A-E3 | VISHAY |
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暂无描述 | |
SMBJ7.0A-E3/2C | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ7.0A-E3/55 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |