Datasheet > SMBJ51CD-M3/I

SMBJ51CD-M3/I

更新时间： 2024-01-02 09:18:44

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
2页	438K
描述
TVS DIODE 51V 81.2V DO214AA

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBJ51CD-M3/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.44
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	61.8 V
最小击穿电压：	57.6 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	最大重复峰值反向电压：	51 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

SMBJ51CD-M3/I 数据手册

VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.

DIODES

SMBJxxxD Series

TransZorb TVS Offer More Precise Breakdown Voltage, Higher

Peak Pulse Surge Current Capability, and Lower Clamping Voltage

KEY BENEFITS

• Designed to protect sensitive electronics against voltage transients induced by inductive load

switching and lightning

• Tight breakdown voltage tolerance of ꢀ.5 %

• Low proﬁle SMB (DO-214AA) package

• High peak pulse surge currents from 2.0ꢀ A to 65.9 A

• Excellent clamping capability from 9.1 V to ꢀ01 V

• High surge capability to 600 W at 10/1000 µs

• Stand-off voltages from 5 V to 188 V

• Available with uni-directional polarity

• Temperature range from -55 °C to +150 °C

• Ideal for automated placement

APPLICATIONS

• DC adapter power line protection, power supply snubber circuits, and general voltage surge protection

in consumer, computer, industrial, and telecommunication equipment

RESOURCES

• Datasheet: SMBJxxxD Series - www.vishay.com/ppg?87606

• For technical questions contact: DiodesAmerica@vishay.com,

DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

• Material categorization: for deﬁnitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

1/2

PRODUCT SHEET

PT0458-2001

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND

THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

www.vishay.com

中文翻译

下载PDF

与SMBJ51CD-M3/I相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ51C-E3/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 51V V(RWM), Bidirectional,
SMBJ51CE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ51CE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ51CE3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ51CE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
SMBJ51C-G	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ51C-GT3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ51CT1	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
SMBJ51CT3	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
SMBJ51C-T3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21

与SMBJ51CD-M3/I相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJ51CD-M3/I

SMBJ51CD-M3/I 技术参数

SMBJ51CD-M3/I 数据手册

与SMBJ51CD-M3/I相关器件

与SMBJ51CD-M3/I相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJ51CD-M3/I

SMBJ51CD-M3/I 技术参数

SMBJ51CD-M3/I 数据手册

与SMBJ51CD-M3/I相关器件

与SMBJ51CD-M3/I相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？