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SMAJ64A-E3

更新时间： 2024-02-01 12:12:36
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 389K
描述
DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Transient Suppressor

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SMAJ64A-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.09
Is Samacsys：N最大击穿电压：78.6 V
最小击穿电压：71.1 V击穿电压标称值：74.85 V
最大钳位电压：103 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：64 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SMAJ64A-E3 数据手册

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SMAJ5.0A thru SMAJ188CA  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
120  
UNIT  
°C/W  
°C/W  
(1)  
Typical thermal resistance, junction to ambient  
Typical thermal resistance, junction to lead  
RJA  
RJL  
30  
Note  
(1)  
Mounted on minimum recommended pad layout  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED P/N  
SMAJ5.0A-M3/61  
SMAJ5.0A-M3/5A  
UNIT WEIGHT (g) PREFERRED PACKAGE CODE BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
0.064  
0.064  
61  
5A  
1800  
7500  
7" diameter plastic tape and reel  
13" diameter plastic tape and reel  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
100  
150  
100  
50  
tr = 10 μs  
TJ = 25 °C  
Pulse Width (td)  
is Defined as the Point  
Where the Peak Current  
Decays to 50 % of IPPM  
Non-Repetitive Pulse  
Waveform Shown in Fig. 3  
TA = 25 °C  
Peak Value  
IPPM  
10  
Half Value - IPP  
IPPM  
2
SMAJ5.0  
SMAJ85  
thru SMAJ78  
thru SMAJ188  
1
10/1000 μs Waveform  
as Defined by R.E.A.  
0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm)  
td  
Copper Pad Areas  
0.1  
0.1  
0
1
10  
100  
1000  
10 000  
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
t - Time (ms)  
td - Pulse Width (μs)  
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve  
Fig. 3 - Pulse Waveform  
100  
75  
10 000  
Measured at Stand-off  
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
Voltage VWM  
1000  
100  
10  
50  
Uni-Directional  
Bi-Directional  
25  
0
1
10  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125 150 175 200  
TJ - Initial Temperature (°C)  
VWM - Reverse Stand-Off Voltage (V)  
Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature  
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance  
Revision: 26-Jan-12  
Document Number: 89277  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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