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SM6408SDT-7.5

更新时间： 2024-02-20 20:33:37

品牌	Logo	应用领域
铁电 - RAMTRON		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	196K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144

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技术参数
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SM6408SDT-7.5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SM6408SDT-7.5 数据手册

144-pin SDRAM SODIMMs

Preliminary Data Sheet

64MB, 128MB, 256MB, 512MB

64MB DIMM Functional Block Diagram – SM6408SDT

Clock Wiring

S0#

CK0

CK1

4 SDRAM

DQMB4

DQMB0

DQ(7:0)

DQ(39:32)

2 SDRAMs

CK0, CK1

DQMB5

DQ(47:40)

DQMB1

DQ(15:8)

SCL

SDA

Serial PD

DQMB2

DQ(23:16)

DQMB6

DQ(55:48)

A0 A1 A2

DQMB3

DQ(31:24)

DQMB7

DQ(63:56)

BA0

BA1

BA0 SDRAM U0-7

BA1 SDRAM U0-7

A0-A11 SDRAM U0-7

Vdd SDRAM U0-7

Vss SDRAM U0-7

A0-A11

Vdd

Vss

RAS#

CAS#

WE#

RAS# SDRAM U0-7

CAS# SDRAM U0-7

WE# SDRAM U0-7

CKE SDRAM U0-7

CKE0

Note:

All DQ resistor values are 10 ohms.

All CK resistor values are 10 ohms.

U0-U7 are 8Mx8 PC133 SDRAM devices.

Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921

PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com

The information contained herein is subject to change without notice.

Revision 1.0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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