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SM51209BRDT8-10

更新时间： 2024-01-10 07:27:03

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铁电 - RAMTRON		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	254K
描述
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

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技术参数
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SM51209BRDT8-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

SM51209BRDT8-10 数据手册

168-pin Low Profile Registered SDRAM DIMMs

256MB, 512MB, 1GB

Preliminary Data Sheet

256MB ECC DIMM Functional Block Diagram – SM25609ARDT4

RS0#

Clock Wiring

RDQMB0

RDQMB4

CK0

PLL

CK1

CK2

CK3

Terminated

DQ(3:0)

DQ(35:32)

CK1-3

12pf

DQ(7:4)

DQ(39:36)

RDQMB5

DQ(45:40)

U10

U11

U12

U13

SDRAM x 3

RDQMB1

DQ(11:8)

DQ(15:12)

CB(3:0)

CK0

PLL

12pf

DQ(47:44)

SCL

SDA

Serial PD

SA0-2

47K

CB(7:4)

RDQMB6

DQ(51:48)

RS2#

RDQMB2

Vdd

Vss

Vdd SDRAM U0-17

Vss SDRAM U0-17

DQ(19:16)

U14

RAS#

RRAS#

RCAS#

CAS#

CKE0

RCKE0

RWE#

DQ(23:20)

RDQMB3

DQ(55:52)

RDQMB7

DQ(59:56)

U15

U16

U17

WE#

A0-12

RA0-11

RBA0-1

RS0,2#

BA0-1

DQ(27:24)

S0,2#

DQMB0-7

RDQMB0-7

PLL CLK

DQ(31:28)

DQ(63:60)

10K

V_DD

REGE

Note:

All DQ resistor values are 10 ohms.

All CK resistor values are 10 ohms.

U0-U17 are 32Mx4 SDRAM devices.

Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921

PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com

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Page 4

Revision 1.1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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