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SM2G75US60

更新时间： 2024-02-14 04:15:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线开关晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	461K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 7PM-AA, 7 PIN

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SM2G75US60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	310 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	312 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

SM2G75US60 数据手册

Preliminary

SM2G75US60

IGBT MODULE

FEATURES

High Speed Switching

Low Conduction Loss

: V_CE(sat) = 2.1 V (typ)

Fast & Soft Anti-Parallel FWD

Short circuit rated

: Min 10uS at Tc=100

APPLICATIONS

Package code : 7-PM-AA

General Purpose Inverters

Welding Machine

C2E1

Induction Heating

UPS , CVCF

Robotics , Servo Controls

Internal Circuit Diagram

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Rating

Units

Characteristics

V_CES

V_GES

I_C

600

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

Collector Current @ Tc = 25

Pulsed Collector Current

I_{CM (1)}

I_F

150

Diode Continuous Forward Current @ Tc = 25

Diode Maximum Forward Current

Maximum Power Dissipation @Tc = 25

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

I_FM

P_C

310

-40 ~ 150

-40 ~ 125

2500

2.0

Tstg

Viso

Isolation Voltage @ AC 1 min

N.m

Mounting Torque @ Power terminals screw :M5

Mounting screw :M5

2.0

Notes: ^{(1) Repetitive Rating : Pulse width Limited by Max.Junction Temperature}

Rev.B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7...10

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