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SM16P6K18A PDF预览

SM16P6K18A

更新时间： 2024-02-18 09:30:49
品牌 Logo 应用领域
PROTEC 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon, SO-16

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SM16P6K18A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOD包装说明：R-PDSO-G16
针数：16Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.92最小击穿电压：20 V
击穿电压标称值：20 V最大钳位电压：29.2 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：4
端子数量：16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：18 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SM16P6K18A 数据手册

 浏览型号SM16P6K18A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SM16P6K18A的Datasheet PDF文件第3页 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25° C Ambient Temperature  
PROTEK  
PART  
NUMBER  
(See Note 1)  
RATED  
STAND-OFF  
VOLTAGE  
MINIMUM  
BREAKDOWN  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
CLAMPING  
VOLTAGE  
(See Fig. 3)  
MAXIMUM  
LEAKAGE  
CURRENT  
MAXIMUM  
PEAK PULSE  
CURRENT  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
OF V  
(BR)  
(See Fig. 3)  
@ 1 mA  
@ I = 1 A  
@ V  
@ I  
P
WM  
PP  
V
V
V
I
I
ΘV  
WM  
(BR)  
C
D
(BR)  
PPM  
VOLTS  
VOLTS  
VOLTS  
µA  
AMPS  
mV/°C  
5.0  
8.0  
6.4  
8.9  
9.2  
SM16P6K05A  
SM16P6K08A  
SM16P6K12A  
SM16P6K15A  
SM16P6K18A  
SM16P6K24A  
SM16P6K28A  
SM16P6K33A  
SM16P6K36A  
SM16P6K48A  
SM16P6K58A  
800  
50  
5
5
5
5
5
5
5
65  
44  
30  
24  
21  
15  
13  
11  
5
7
13.6  
19.9  
24.4  
29.2  
38.9  
45.4  
53.3  
58.1  
77.4  
93.6  
12.0  
15.0  
18.0  
24.0  
28.0  
33.0  
36.0  
48.0  
58.0  
13.3  
16.7  
20.0  
26.7  
31.1  
36.7  
40.0  
53.3  
64.4  
12  
16  
20  
28  
31  
39  
41  
56  
70  
10  
7.7  
6.4  
5
5
Note 1: Part numbers shown are for unidirectional devices. Add a “CA” suffix to specify bidirectional devices, such as SM16P6K05CA.  
FIGURE 1  
PEAK PULSE POWER VS PULSE TIME  
FIGURE 2  
TYPICAL CAPACITANCE vs V  
(BR)  
100  
10  
1
10,000  
1,000  
100  
Measured @ VWM  
(Unidirectional Only)  
600W, 10/1000 µs Waveshape  
0.1  
10  
1
10  
100  
1,000  
0.1  
1
10  
100  
1,000  
10,000  
td - Pulse Duration - µs  
V(BR) - Breakdown Voltage - Volts  
FIGURE 3  
FIGURE 4  
PULSE WAVE FORM  
POWER DERATING CURVE  
100  
80  
TEST  
WAVEFORM  
PARAMETERS  
tf = 10 µs  
tf  
Peak Pulse Power  
10/1000 µs  
100  
td = 1,000 µs  
Peak Value IPP  
60  
Half Value IPP/2 = td  
50  
40  
20  
0
Average Power  
e-t  
0
0
1
2
3
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
t - Time - ms  
TL - Lead Temperature - °C  
®
2
5073.R1 9/98  
123

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