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SK115MB10

更新时间: 2024-02-16 04:54:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
3页 437K
描述
MOSFET Module

SK115MB10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X8JESD-609代码:e2
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SK115MB10 数据手册

 浏览型号SK115MB10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK115MB10的Datasheet PDF文件第3页 
SK 115 MB 10  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
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8
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SEMITOP 2  
 
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SK 115MB10  
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Preliminary Data  
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
MOSFET  
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Typical Applications  
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Inverse diode  
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0
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/;  
8
5> + -2 86  %: + /- .ꢁ6 A3 + -7 D  
2)G  
Bꢁ  
ꢏꢏ  
0A + 7- 86 ꢈꢋ?ꢈꢇ + 122 8?Bꢊ  
C2  
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0
Free-wheeling diode  
0>  
5> + 86 03# + 0  
5AA(  
Kꢏꢏ  
ꢑꢍꢈꢉꢏ ꢓꢂꢔꢔꢂꢐꢋꢍꢌ ꢆꢂꢍꢈꢋꢇꢋꢂꢍꢊF  
5> + 86  %: + .ꢁ  
8
Bꢁ  
ꢏꢏ  
0 + 86 ꢈꢋ?ꢈꢇ + 8?Bꢊ  
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Mechanical data  
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Mꢃ  
/2  
ꢁꢅꢊꢉ  
  ;  
MB  
1
11-04-2005 RAM  
© by SEMIKRON  

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