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SK115MD10

更新时间: 2024-01-03 02:59:50
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 567K
描述
MOSFET Module

SK115MD10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P16
针数:16Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.62
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.0075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-XUFM-P16
JESD-609代码:e2元件数量:6
端子数量:16工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SK115MD10 数据手册

 浏览型号SK115MD10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK115MD10的Datasheet PDF文件第3页 
SK 115 MD 10 MOSFET,TRANSISTOR  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
MOSFET  
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0
0
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8
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8
8
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SEMITOP 3  
 
! ;2 <<< = 1-2  
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MOSFET Module  
Freewheeling CAL diode  
5> + ! 5  
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8
 
.ꢁ  
:
 
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/72  
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SK 115 MD 10  
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Preliminary Data  
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0
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
MOSFET  
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5 + ,2 86 03# + 12 06  : + 1/- .ꢁ  
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Typical Applications  
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172  
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1)1  
I?J  
Inverse diode  
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0
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/;  
8
5> + -2 86  %: + /- .ꢁ6 A3 + -7 D  
2)G  
Bꢁ  
ꢏꢏ  
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C2  
ꢍꢊ  
0
Free-wheeling diode  
0>  
5> + 86 03# + 0  
5AA(  
Kꢏꢏ  
ꢑꢍꢈꢉꢏ ꢓꢂꢔꢔꢂꢐꢋꢍꢌ ꢆꢂꢍꢈꢋꢇꢋꢂꢍꢊF  
5> + 86  %: + .ꢁ  
8
Bꢁ  
ꢏꢏ  
0 + 86 ꢈꢋ?ꢈꢇ + 8?Bꢊ  
ꢍꢊ  
Mechanical data  
(1  
ꢃꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ ꢇꢂꢏLꢑꢉ  
/)-  
Mꢃ  
/2  
ꢁꢅꢊꢉ  
#E(5 ꢎ'N  
@
  17  
MD  
1
02-05-2006 RAM  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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