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SIHL530S-E3

更新时间： 2024-09-24 21:19:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1019K
描述
TRANSISTOR 15 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

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SIHL530S-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
雪崩能效等级（Eas）：290 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：88 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHL530S-E3 数据手册

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IRL530S, SiHL530S  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Surface Mount  
100  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 5.0 V  
0.16  
Qg (Max.) (nC)  
28  
3.8  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Logic Level Gate Drive  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175 °C Operating Temperature  
• Lead (Pb)-free Available  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
14  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
D2PAK (TO-263)  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package  
capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides  
the highest power capability and the lowest possible on  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2PAK (TO-263) is suitable for high current applications  
because of its low internal connection resistance and can  
dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.  
D
G
S
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
-
-
IRL530S  
SiHL530S  
D2PAK (TO-263)  
IRL530STRRPbFa  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHL530STR-E3a  
-
-
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
100  
10  
V
T
C = 25 °C  
15  
11  
60  
Continuous Drain Current  
V
GS at 5 V  
ID  
A
TC =100°C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.59  
0.025  
290  
15  
8.8  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
EAR  
mJ  
A
mJ  
Repetitive Avalanche Energya  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
88  
3.7  
5.5  
PD  
W
V/ns  
°C  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 1.9 mH, RG = 25 Ω, IAS = 15 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 15 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91342  
S09-0065-Rev. A, 02-Feb-09  
For technical questions, contact: hvmos.techsupport@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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