Datasheet > SIF60N030(DFN33)

SIF60N030(DFN33)

更新时间： 2024-04-09 19:02:30

品牌	Logo	应用领域
深爱 - SISEMIC		开关
页数	文件大小	规格书
4页	487K
描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIF60N030(DFN33) 数据手册

深圳深爱半导体股份有限公司

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

产品规格书

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF60N030

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

输入电容

Input Capacitance

Ciss

Coss

Crss

Td(on)

T_r

1317

163

130

4.6

V_GS= 0V, V_DS= 15V

F = 1.0MHZ

输出电容

Output Capacitance

反向传输电容

Reverse Transfer Capacitance

导通延迟

Turn -On Delay Time

开启上升时间

Turn -On Rise Time

V_DD=15V, I_D=15A,

V_GS= 10V, R_G=3Ω

关断延迟

Turn -Off Delay Time

Td(off)

T_f

关断下降时间

Turn -Off Fall Time

栅极电荷

Total Gate Charge

I_D=15A, V_DS= 15V

V_GS= 4.5V

栅源电荷

Gate-to-Source Charge

Qgs

Qgd

V_SD

4.2

5.1

栅漏电荷

Gate-to-Drain Charge

Tj=25°C, Is=10A

V_GS=0V

二极管正向压降

Diode Forward Voltage

1.3

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

trr

9.2

Tj=25°C,Is=10A

di/dt=100A/μs

反向恢复电荷

Reverse Recovery Charge

Qrr

●热特性

●Thermal Characteristics

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

热阻结-壳

Thermal Resistance Junction-case

Rth_JC

2.72

℃/W

注释(Notes):

①

初始结温=25^oC, L=0.1mH。

Starting Tj=25^oC,L=0.1mH。

Si semiconductors 2019.06

123 4

下载PDF

与SIF60N030(DFN33)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SIF60N040(TO-251T&251S&252)	SISEMIC	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范	获取价格
SIF65R380(TO-220&220FP&262&263)	SISEMIC	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范	获取价格
SIF65R380(TO-251T&251S&252)	SISEMIC	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范	获取价格
SIF65R540(TO-220&220FP&262&263)	SISEMIC	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范	获取价格
SIF65R580(TO-220&220FP&262&263)	SISEMIC	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范	获取价格
SIF65R580(TO-251T&252)	SISEMIC	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范	获取价格