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SIF24N50F(TO-220FP)

更新时间： 2024-04-09 18:59:47
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深爱 - SISEMIC 开关
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4页 374K
描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

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SIF24N50F(TO-220FP) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF24N50F  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值 典型值 最大值  
TYP  
单位  
UNIT  
MIN  
MAX  
栅极漏电流  
Gate-body Leakage  
Current (VDS = 0)  
漏-源导通电阻  
Static Drain-source On  
Resistance  
IGSS  
VGS =±30V  
±100  
nA  
Ω
VGS =10V, ID=12.0A  
③
RDS(ON)  
0.2  
0.25  
输入电容  
Input Capacitance  
Ciss  
2750  
295  
pF  
pF  
输出电容  
Output Capacitance  
VGS = 0V, VDS = 25V  
F = 1.0MHZ  
Coss  
米勒电容  
Miller Capacitance  
pF  
ns  
ns  
Crss  
30  
关断延迟  
Turn -Off Delay Time  
Td(off)  
Td(on)  
200  
100  
开启延迟时间  
Turn-on delay time  
VDD=250V, ID =24.0A  
RG=25Ω  
③
开启上升时间  
Rise time  
Tr  
Tf  
250  
150  
58.3  
ns  
ns  
关断下降时间  
Fall time  
栅极电荷  
Total Gate Charge  
nC  
Qg  
ID =24.0A, VDS = 400V  
栅源电荷  
Gate-to-Source Charge  
nC  
nC  
VGS = 10V  
③
Qgs  
Qgd  
IS  
15.8  
23.9  
栅漏电荷  
Gate-to-Drain Charge  
二极管正向电流  
Continuous Diode Forward  
Current  
24.0  
1.4  
A
V
二极管正向压降  
Diode Forward Voltage  
Tj=25°C, Is=24.0A  
VSD  
trr  
VGS =0V  
③
反向恢复时间  
Reverse Recovery Time  
400  
4.2  
1.8  
ns  
Tj=25°C, If=24.0A  
di/dt=100A/μs  
③
反向恢复电荷  
Reverse Recovery Charge  
Qrr  
RG  
uC  
输入阻抗  
Gate resistance  
ID =12.0A, VDS = 50V  
VGS = 10V  
7
Ω
●热特性  
●Thermal Characteristics  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
热阻结-壳  
RthJC  
2.5  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance Junction-case  
热阻结-环境  
Thermal Resistance Junction-ambient  
RthJA  
62.5  
注释(Notes):  
① 脉冲宽度：以最高结温为限制  
Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
② 初始结温=25oC, VDD =50V, L=5.0mH, RG =25Ω, IAS=24.0A  
Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=5.0mH, RG =25Ω, IAS=24.0A  
③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％  
Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%  
2
Si semiconductors 2018.06  
1234

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