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SIF2N60C(TO-220&220FP) PDF预览

SIF2N60C(TO-220&220FP)

更新时间： 2024-04-09 19:02:43
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深爱 - SISEMIC 开关
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描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

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SIF2N60C(TO-220&220FP) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF2N60C  
●特点：导通电阻低  
开关速度快  
输入阻抗高  
符合RoHS规范  
●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT  
●应用：电子镇流器  
电子变压器  
开关电源  
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST■ELECTRONIC TRANSFORMER■SWITCH MODE POWER SUPPLY  
●最大额定值（Tc=25C）  
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）  
TO-220/220FP  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
单位  
UNIT  
VDS=600V  
RDS(ON)=4.2Ω  
ID=2.0A  
漏-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
600  
V
V
栅-源电压  
gate-source Voltage  
±30  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
ID  
2.0  
1.25  
8
A
A
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=100℃  
ID  
最大脉冲电流  
Drain Current －Pulsed  
IDM  
A
①
TO-220:54  
耗散功率  
Power Dissipation  
Ptot  
W
TO-220FP:23  
最高结温  
Junction Temperature  
Tj  
150  
C  
C  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
-55-150  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy②  
EAS  
120  
mJ  
●电特性（Tc=25C）  
●Electronic Characteristics（Tc=25C）  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
漏-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V, ID=250A  
600  
V
击穿电压温度系数  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ΔBVDSS/  
ΔTj  
ID=250uA, Referenced to  
0.6  
V/C  
25C  
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
VGS(TH)  
VGS=VDS, ID=250A  
2.0  
4.0  
25  
V
VDS =600V,  
VGS =0V, Tj=25C  
A  
A  
漏-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
VDS =480V,  
VGS =0V, Tj=125C  
250  
跨导  
Forward Transconductance  
VDS =40V, ID=1A  
③
gfs  
1.5  
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
SIF2N60C TO-220-TU-HF  
SIF2N60C TO-220FP-TU-HF  
TO-220 条管装/TUBE PACKING  
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING  
SIF2N60C TO-220-TU  
SIF2N60C TO-220FP-TU  
1
Si semiconductors 2013.12  
123456

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