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SIF2N50F(SOT-89)

更新时间： 2024-04-09 19:02:44

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深爱 - SISEMIC		开关
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4页	554K
描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF2N50F(SOT-89) 数据手册

深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF2N50F

●特点：导通电阻低

开关速度快

输入阻抗高

符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：电子镇流器

电子变压器

开关电源

●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

SOT-89

单位

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

额定值

VALUE

UNIT

V_DS=500V

R_DS(ON)=5.5Ω

I_D=2.0A

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

500

栅-源电压

gate-source Voltage

±30

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

2.0*

1.2*

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

P_D

8.0*

①

耗散功率

Power Dissipation (T_L=25C)

C

最高结温

Junction Temperature

150

C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

E_AS

-55-150

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy②

*漏极电流由最高结温限制

*Drain current limited by maximum junction temperature

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值典型值最大值

MIN

单位

UNIT

TYP

MAX

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

500

V/C

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.6

25C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250A

2.0

4.0

V_DS=500V,

V_GS=0V, Tj=25C

V_DS=400V,

A

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

I_DSS

gfs

250

V_GS=0V, Tj=125C

跨导

Forward Transconductance

V_DS=40V, I_D=1.0A

③

0.5

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

订货编码/ORDERING CODE

包装形式/PACKING

普通塑封料/ Nomal Package Material

无卤塑封料/Halogen Free

SOT-89 编带装/TAPE & REEL PACKING

SIF2N50F SOT-89-TR

SIF2N50F SOT-89-TR-HF

Si semiconductors 2017.02

12 3 4

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