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SI6966EDQ-T1-GE3

更新时间： 2024-01-15 01:32:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	100K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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技术参数
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SI6966EDQ-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	5.2 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI6966EDQ-T1-GE3 数据手册

Si6966EDQ

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected

FEATURES

Halogen-free

• ESD Protected: 4000 V

PRODUCT SUMMARY

•

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

5.2

0.030 at V_GS= 4.5 V

0.040 at V_GS= 2.5 V

RoHS

4.5

COMPLIANT

TSSOP-8

100 Ω

Si6966EDQ

Top View

N-Channel

Ordering Information: Si6966EDG-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

5.2

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

4.0

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^{a, b}

1.25

0.72

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

110

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

Steady State

115

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 board.

b. t ≤ 10 s.

Document Number: 70809

S-81221-Rev. C, 02-Jun-08

www.vishay.com

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