SHV-03W

更新时间： 2024-01-16 02:19:06

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三垦 - SANKEN		整流二极管高压
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2页	32K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.002A, Silicon

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SHV-03W 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.002 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.18 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SHV-03W 数据手册

High-Voltage Rectifier Diodes

ElectricalCharacteristics（Ta＝25℃）

Absolute M axim um Ratings

Others

Fig.

Param eter

Tstg

V_F

（V）

FSM

R（H）

（μA）

（μs）

（A）

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

（℃）（℃）

（μA）

V_RM

M ass

（g）

F（AV）

Rem arks

Type No.

（kV）（m A）

V_RVRM

＝

m ax

V_RVRM

＝

Ta＝100℃m ax

I /I

F RP

（m A）

m ax

Ta＝100℃

（m A）

SHV-02

0.3

0.5

0.15

0.16

SHV-03S

SHV-03

SHV-10

Forgeneral

FBT

－40 to

100

0.18

10/10

－

SHV-12

＋120

SHV-14

0.32

SHV-16

SHV-20

2.0

SHV-24

TV high

voltage

rectifier

Capacitive

SHV-06NK

SHV-08NK

SHV-10K

SHV-12K

SHV-06UNK

SHV-08UNK

SHV-10UK

SHV-12UK

SHV-16UK

SHV-08DN

SHV-12DN

0.2

－40 to

＋120

Forlayer-

builtFBT

0.5

100

0.18

0.15

10/10

－

load

0.32

0.2

0.3

Forhigh-

frequency

layer-built

FBT

－40 to

100

0.5

10/10

0.30

0.20

＋120

ForUltra

high-frequency

layer-builtFBT

0.2

0.3

－40 to

100

0.15

－

＋120

－40 to

For

＝

9.5to15kV

－

HVR-1X-40B

UX-C2B

＋130

M icrowave O ven

（Ta）

350

3.67

－30 to

＋130

For Inverter-type

M icrowave O ven

＝8.5kV m in. 0.1

13.5

100/100

M arking (Cathode M ark)

Type No.

SHV-02

ExternalDim ensions

(Unit:m m )

Pattern

Color

Fig.A

27m in

W hite

Red

SHV-03S

SHV-03

Fig.

27m in

W hite

SHV-06NK

SHV-06UNK

SHV-08NK

SHV-08UNK

Fig.C

W hite

Red

6.5

27m in

W hite

Red

SHV-08DN

Fig.

10^±0.2

27m in

SHV-12DN

Red

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