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SHSMG1022

更新时间： 2024-01-24 18:47:18
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 栅晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, SHD-6, 3 PIN

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SHSMG1022 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66其他特性：HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-CDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SHSMG1022 数据手册

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IGBT  
HIGH SPEED IGBT DEVICES  
VCES  
CONTINUOU  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ TC=25oC  
PULSED  
COLLEC  
T.  
VCE(sat)@Ic  
Ciss  
typ  
tfi  
MAXIMU  
M
RθJC  
PART  
NUMBER  
S
typ  
PACKAGE  
STYLE  
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ Tc=90oC  
25oC  
PD@  
CURRE  
NT  
TC=25oC  
TC=25oC  
1 ms  
oC/W  
Volts  
V
A
pF  
ns  
Amps  
Amps  
Watts  
Amps  
SHSMG1003  
SHSMG1004  
600  
600  
30  
50  
60  
75  
120  
200  
1.8  
2.5  
30  
50  
2500  
4000  
130  
180  
312  
400  
0.4  
0.31  
SHD-6  
HIGH SPEED, IMPROVED SCSOA IGBT DEVICES  
VCES  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ Tc=90oC  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ TC=25oC  
PULSED  
COLLEC  
T.  
VCE(sat)@Ic  
Ciss  
typ  
tfi  
MAXIMU  
M
RθJC  
PART  
NUMBER  
typ  
PACKAGE  
STYLE  
25oC  
PD@  
CURRE  
NT  
TC=25oC  
TC=25oC  
1 ms  
oC/W  
Volts  
V
A
pF  
ns  
Amps  
Amps  
Watts  
Amps  
SHSMG1009  
SHSMG1010  
600  
50  
35  
75  
70  
200  
140  
2.5  
4.0  
50  
35  
4000  
3900  
200  
500  
400  
400  
0.31  
0.31  
1200  
SHD-6  
HERMETIC SURFACE MOUNT IGBT DEVICES  
LOW VCE(sat) IGBT DEVICES  
VCES  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ Tc=90oC  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ TC=25oC  
PULSED  
COLLEC  
T.  
VCE(sat)@Ic  
Ciss  
typ  
tfi  
MAXIMU  
M
RθJC  
PART  
NUMBER  
typ  
PACKAG  
E
25oC  
PD@  
CURRE  
NT  
TC=25oC  
STYLE  
TC=25oC  
1 ms  
oC/W  
Volts  
V
A
pF  
ns  
Amps  
Amps  
Watts  
Amps  
SHSMG1012  
600  
60  
75  
200  
1.8  
60  
4000  
500  
400  
0.31  
SHD-6  
SHD-6  
SHSMG1015  
1200  
25  
50  
100  
3.0  
25  
2750  
1200  
312  
0.4  
LOW VCE(sat), IMPROVED SCSOA IGBT DEVICES  
VCES  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ Tc=90oC  
CONTINUOU  
S
COLLECTOR  
CURRENT  
IC @ TC=25oC  
PULSED  
COLLEC  
T.  
VCE(sat)@Ic  
Ciss  
typ  
tfi  
MAXIMUM  
PD@  
RθJC  
PART  
NUMBER  
typ  
PACKAG  
E
25oC  
TC=25oC  
CURRE  
NT  
STYLE  
TC=25oC  
1 ms  
oC/W  
0.4  
Volts  
600  
V
A
pF  
ns  
Watts  
312  
Amps  
30  
Amps  
50  
Amps  
100  
SHSMG1016  
2.5  
30  
2760  
400  
1234

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