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SH50D13

更新时间: 2024-02-24 20:41:05
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),78A I(T),STR-M8

SH50D13 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
标称电路换相断开时间:20 µs关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:150 mA最大漏电流:8 mA
通态非重复峰值电流:1100 A最大通态电压:1.7 V
最大通态电流:78000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C断态重复峰值电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SH50D13 数据手册

 浏览型号SH50D13的Datasheet PDF文件第2页 

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