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SGL41-60HE3/97

更新时间： 2024-02-03 22:28:17
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
SCHOTTKY 60V 1A 2PIN DO-213AB - Tape and Reel

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SGL41-60HE3/97 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-213AB包装说明：O-PELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-PELF-R2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：250认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SGL41-60HE3/97 数据手册

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BYM13-xx, SGL41-xx  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• MELF Schottky rectifier  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
250 °C  
DO-213AB  
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V to 60 V  
30 A  
MECHANICAL DATA  
VF  
0.50 V, 0.70 V  
125 °C, 150 °C  
DO-213AB  
Single  
Case: DO-213AB  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Two bands indicate cathode end 1st band denotes  
device type 2nd band denotes voltage type  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL BYM13-20 BYM13-30 BYM13-40 BYM13-50 BYM13-60 UNIT  
DENOTES SCHOTTKY DEVICES: 1st BAND IS  
ORANGE  
SGL41-20 SGL41-30 SGL41-40 SGL41-50 SGL41-60  
Polarity color bands (2nd band) voltage type  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
Gray  
20  
Red  
30  
Orange  
40  
Yellow  
50  
Green  
60  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
14  
21  
28  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
20  
30  
40  
50  
60  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
1.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
IFSM  
30  
A
sine-wave superimposed on rated load  
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
°C  
- 55 to + 125  
- 55 to + 150  
TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Reivision: 13-Aug-13  
Document Number: 88548  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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SGL41-60HE3/97 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SGL41-60HE3/96 VISHAY

类似代替

 DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB
SGL41-60-E3/96 VISHAY

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BYM13-60-E3/96 VISHAY

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与SGL41-60HE3/97相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGL41-60-HE3/97 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2, Signal
SGL41-xx VISHAY

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 		Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
SGL50N60 FAIRCHILD

获取价格

 		Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUF FAIRCHILD

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 		Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUFD FAIRCHILD

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 		Short Circuit Rated IGBT
SGL50N60RUFDGTU FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3
SGL50N60RUFDTU ONSEMI

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 		IGBT，600V，50A，短路额定
SGL50N60RUFDTU FAIRCHILD

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 		600 V, 50 A Short Circuit Rated IGBT
SGL5N150UF FAIRCHILD

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 		General Description
SGL5N60RUFD SAMSUNG

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PI

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