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SGL50N60RUFD

更新时间： 2024-01-24 21:24:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 624K
描述
Short Circuit Rated IGBT

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SGL50N60RUFD 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.78
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)：80 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：160 ns
门极发射器阈值电压最大值：8 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-264AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：329 ns
标称接通时间 (ton)：119 nsBase Number Matches：1

SGL50N60RUFD 数据手册

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IGBT  
SGL50N60RUFD  
Short Circuit Rated IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's RUFD series of Insulated Gate Bipolar  
Transistors (IGBTs) provide low conduction and switching  
losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD  
series is designed for applications such as motor control,  
uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters  
where short circuit ruggedness is a required feature.  
•
•
•
•
•
Short circuit rated 10us @ T = 100°C, V = 15V  
C
GE  
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.2 V @ I = 50A  
CE(sat)  
C
CO-PAK, IGBT with FRD : t = 50ns (typ.)  
rr  
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
TO-264  
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGL50N60RUFD  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
80  
A
C
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
50  
150  
A
C
I
I
I
Pulsed Collector Current  
A
CM (1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T = 100°C  
30  
A
F
C
90  
A
FM  
T
@ T = 100°C  
10  
us  
W
W
°C  
°C  
SC  
C
P
@ T = 25°C  
250  
D
C
@ T = 100°C  
100  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
(IGBT)  
0.5  
1.0  
25  
θJC  
θJC  
θJA  
(DIODE)  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGL50N60RUFD Rev. A1  
12345678

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与SGL50N60RUFD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGL50N60RUFDGTU FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3
SGL50N60RUFDTU ONSEMI

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 		IGBT，600V，50A，短路额定
SGL50N60RUFDTU FAIRCHILD

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 		600 V, 50 A Short Circuit Rated IGBT
SGL5N150UF FAIRCHILD

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 		General Description
SGL5N60RUFD SAMSUNG

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PI
SGL60N90D FAIRCHILD

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 		IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance)
SGL60N90DG3 FAIRCHILD

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SGL60N90DG3TU FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, LEAD FREE
SGL60N90DG3YDTU FAIRCHILD

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