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SGA-9289Z

更新时间： 2024-01-18 02:36:54

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SIRENZA		晶体半导体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
4页	100K
描述
Medium Power Discrete SiGe Transistor

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SGA-9289Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	11 dB
JESD-609代码：	e3	最大工作频率：	3000 MHz
最小工作频率：	50 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SGA-9289Z 数据手册

SGA-9289 Medium Power Discrete SiGe Transistor

De-embedded S-Parameters (Z_S=Z_L=50 Ohms, V_CE=5V, I_CQ=270mA, 25° C)

Insertion Gain & Isolation

Insertion Gain vs Temperature

-12

-24

-36

-48

-60

Isolation

T = -40, 25, 85°C

Gmax

-5

Gain

-5

-10

Frequency (GHz)

S11 vs Frequency

S22 vs Frequency

1.0

0.5

2.0

0.5

2.0

5 GHz

4 GHz

5 GHz

4 GHz

8 GHz

3 GHz

0.2

5.0

3 GHz

2 GHz

1 GHz

0.2

0.0

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

0.0

0.5

1.0

2.0

5.0

inf

50 MHz

S11

0.2

5.0

S22

50 MHz

0.5

2.0

1.0

Note: S-parameters are de-embedded to the device leads with Z_S=Z_L=50Ω. The data represents typical performace of the device.

De-embedded s-parameters can be downloaded from our website (www.sirenza.com).

DC-IV Curves

700

600

500

400

I_b= 0.2 - 2.0 mA , 0.2 mA steps

T=25° C

300

200

100

VCE (V)

303 S. Technology Ct.

Broomfield, CO 80021

Phone: (800) SMI-MMIC

http://www.sirenza.com

EDS-101498 Rev G

1 234

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