SFF44N50M

更新时间： 2024-01-09 14:14:43

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Avalanche Rated N-channel MOSFET

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SFF44N50M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254Z
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1100 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF44N50M 数据手册

SFF44N50M

SFF44N50Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

25 AMP , 500 Volts, 110 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

TO-254

TO-254Z

Features:

•

Rugged poly-Si gate

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

Note 1: maximum current limited by package configuration

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Drain - Source Voltage

V_DSS

500

±20

±30

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 125ºC

I_D1

I_D2

Max. Continuous Drain Current (package limited)

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

I_D3

I_AR

@ T_C= 25ºC

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

Single / Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

E_AS/ E_AR

P_D

1100 / 1

125

Operating & Storage Temperature

-55 to +150

1.0 (typ.0.75)

ºC

T_OP& T_STG

Rjc

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

ºC /W

TO254

(M)

TO254Z

(Z)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0030A

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