生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.85 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-259 |
JESD-30 代码: | R-XSFM-P3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SFF440RGZ | SSDI |
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Transistor | |
SFF440VGZ | SSDI |
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Transistor | |
SFF440Z | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SFF44N50M | SSDI |
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Avalanche Rated N-channel MOSFET | |
SFF44N50S1 | SSDI |
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Avalanche Rated N-channel MOSFET | |
SFF44N50S1S | SSDI |
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Transistor | |
SFF44N50S1TX | SSDI |
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Transistor | |
SFF44N50S1TXV | SSDI |
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暂无描述 | |
SFF44N50S2 | SSDI |
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Avalanche Rated N-channel MOSFET | |
SFF44N50S2S | SSDI |
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Transistor |