SF25GZ51

更新时间： 2024-01-28 01:12:39

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东芝 - TOSHIBA		栅极触发装置可控硅整流器功率控制局域网
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6页	240K
描述
MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS

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SF25GZ51 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	20 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	100 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	0.02 mA	通态非重复峰值电流：	350 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	25000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	39 A	重复峰值关态漏电流最大值：	20 µA
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SF25GZ51 数据手册

SF25GZ51,SF25JZ51

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

= V = Rated

MIN.

TYP.

MAX. UNIT

Repetitive Peak Off−State Current and

DRM

RRM

µA

―

DRM

RRM

Repetitive Peak Reverse Current

Peak On−State Voltage

Gate Trigger Voltage

Gate Trigger Current

Holding Current

= 80 A

1.5

―

= 6 V, R = 10 Ω

= 6 V, I = 500 mA

100

= Rated, Tc = 125°C

DRM

Critical Rate of Rise of Off−State Voltage

dv / dt

―

V / µs

―

Exponential Rise

Junction to Case

Thermal Resistance

―

1.3

°C / W

th (j−c)

MARKING

NUMBER

SYMBOL

MARK

SF25GZ51

SF25JZ51

F25GZ51

F25JZ51

TYPE

Example

8A : January 1998

8B : February 1998

8L : December 1998

2001-05-10

123 4 5 6

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