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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 应用： | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向电流： | 10000 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF10N13 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 16 A, 1000 V, SCR |
|
| SF10NC15M | SHINDENGEN |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
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| SF10P100 JTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 10Ω, ±5%, 1/2W |
|
| SF10P1000FTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 100Ω, ±1%, 1/2W |
|
| SF10P1001FTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 1000Ω, ±1%, 1/2W |
|
| SF10P1002FTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 10000Ω, ±1%, 1/2W |
|
| SF10P1003FTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 100000Ω, ±1%, 1/2W |
|
| SF10P1004FTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 1000000Ω, ±1%, 1/2W |
|
| SF10P101 JTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 100Ω, ±5%, 1/2W |
|
| SF10P102 JTP | WALSIN |
获取价格 |
1210(3225), 1000Ω, ±5%, 1/2W |
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