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SF10N13

更新时间: 2024-09-26 19:13:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16 A, 1000 V, SCR

SF10N13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.62外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:80 mA
最大直流栅极触发电压:3.5 V最大维持电流:100 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-D2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:16 A
重复峰值关态漏电流最大值:4 µA断态重复峰值电压:1000 V
重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SF10N13 数据手册

  

与SF10N13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SF10NC15M SHINDENGEN

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1210(3225), 100000Ω, ±1%, 1/2W
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1210(3225), 1000000Ω, ±1%, 1/2W
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1210(3225), 1000Ω, ±5%, 1/2W
SF10P1020FTP WALSIN

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