2N7224

更新时间： 2024-01-20 07:48:59

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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3页	62K
描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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2N7224 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	34 A
最大漏源导通电阻：	0.081 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	136 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7224 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

2N7224

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 161, REV -

(see also data sheet 766)

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

100 Volt, 0.07 Ohm MOSFET

Isolated and Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Repetitive Avalanche Rating

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

GATE TO SOURCE VOLTAGE

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25C

V_GS=10V, T_C= 100C

V_GS

I_D

I_DM

T_OP/T_STG

-55

136

150

0.83

150

Amps

C/W

Watts

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

100

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 21A

V_GS= 10V, I_D= 34A

R_DS(ON)

0.07

0.081

4.0

V_GS(th)

g_fs

2.0

9.0

Volts

S(1/W)

GATE THRESHOLD VOLTAGE

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS 15V, I_DS= 21A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V

I_DSS

250

V_DS= 0.8xMax. Rating

V_GS= 0V, T_J= 125C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

@ RATED

V_GS

I_GSS

100

-100

125

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TOTAL GATE CHARGE

GATE TO SOURCE CHARGE

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

V_GS= 10 VOLTS

50% RATED V_DS

RATED I_D

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(ON)

t_r

t_d(ON)

t_f

V_DD= 50V

RATED I_D

R_G= 2.35W

nsec

Volts

190

170

130

1.8

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_SD

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_J= 25C, I_S= 34A,

V_GS= 0V

t_rr

Q_rr

500

2.9

nsec

DIODE REVERSE RECOVERY TIME

REVERSE RECOVERY CHARGE

T_J= 25C

I_f= RATED ID

di/dt = 100A/sec

V_GS= 0 VOLTS

V_DS= 25 VOLTS

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

3700

1100

200

f = 1 MHz

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N72241N6036	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72241N6036A	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72241N6036AE3	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72241N6036E3	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72241N6072	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72241N6072A	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格

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