捷配DataSheet查询网关于“FQD4N20”相关器件DataSheet数据手册10个 更新时间：2023-11-27 07:05:45
| 型号 | Logo | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 |
| FQD4N20 |  |
FAIRCHILD | 获取价格 |  |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD4N20_09 | |
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200V N-Channel MOSFET | |
| FQD4N20L | |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
| FQD4N20LTF | |
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开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
| FQD4N20LTM | |
FAIRCHILD | 获取价格 | |
开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
| FQD4N20TF | |
FAIRCHILD | 获取价格 | |
开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
| FQD4N20TF |  |
ROCHESTER | 获取价格 | |
开关脉冲晶体管 | 3A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
| FQD4N20TM |  |
ONSEMI | 获取价格 | |
开关脉冲晶体管 | N 沟道，QFET® MOSFET，200V，3A，1.4Ω |
| FQD4N20TM | |
FAIRCHILD | 获取价格 | |
开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
| FQD4N20TM-SB82153 | |
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Transistor | |
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