捷配DataSheet查询网关于“BSP135”相关器件DataSheet数据手册10个 更新时间:2023-12-06 20:11:51
型号 | Logo | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 |
BSP135 | INFINEON | 获取价格 | 晶体晶体管 | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) | ||
BSP135_10 | INFINEON | 获取价格 | SIPMOS Small-Signal-Transistor | |||
BSP135H6327 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135H6433XTMA1 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135H6906 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135I | INFINEON | 获取价格 | N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装,其特性为 VD | |||
BSP135L6327HTSA1 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135L6906 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135L6906HTSA1 | INFINEON | 获取价格 | 脉冲光电二极管晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | ||
BSP135 相关资料
BSP135H6327是一款由Infineon(英飞凌)公司制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品以其高可靠性、优异的电气性能和紧凑的封装设计,广泛应用于各种电子设备和系统中。一、产品特性高耐压性...