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SE50PAB-M3/I

更新时间： 2024-02-13 18:30:21

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威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	121K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-221BC,

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SE50PAB-M3/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.41
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.16 V	JEDEC-95代码：	DO-221BC
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	42 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	10 µA	最大反向恢复时间：	2 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SE50PAB-M3/I 数据手册

SE50PAB, SE50PAD, SE50PAG, SE50PAJ

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

DO-221BC (SMPA)

0.059 (1.50)

0.030 (0.75)

0.122 (3.10)

0.098 (2.50)

Cathode Band

0.057 (1.45)

0.049 (1.25)

0.106 (2.70)

0.098 (2.50)

0.087 (2.20)

0.063 (1.6)

0.171 (4.35)

0.163 (4.15)

0.211 (5.35)

0.199 (5.05)

0.059 (1.50)

0.030 (0.75)

Typ.: 0.019 (0.48)

Mounting Pad Layout

MAX. 0.037 (0.92)

0.039 (1.00)

0.035 (0.90)

0.012 (0.30)

0.006 (0.15)

0.087 (2.20)

MIN.

0.060 (1.52)

MIN.

0.059 (1.50)

MIN. 0.122 (3.10)

0.217 (5.52)

Revision: 20-Oct-16

Document Number: 87703

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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