SDR9103DRNS

更新时间： 2024-09-26 13:02:47

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SSDI		整流二极管局域网超快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	172K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN

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SDR9103DRNS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-258AA
包装说明：	R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	应用：	HYPER FAST RECOVERY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-258AA
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	500 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	100 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.04 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SDR9103DRNS 数据手册

SDR9103CTN&P

thru

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

SDR9105CTN&P

100 AMP, 300 - 500 VOLTS

40 nsec HYPER FAST

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

CENTERTAP RECTIFIER

SDR91 __ __ __ __ __

│

└

│

└

│

└

│ └ Screening ^2/__

= Not Screened

FEATURES:

Hyper Fast Recovery: 40 ns Maximum

High Surge Rating

│

└

TX = TX Level

TXV = TXV Level

•

= S Level

Lead Options

__= Straight Leads,

DB = Bent Down

UB = Bent Up

Low Reverse Leakage Current

Hermetically Sealed Low Profile Package

Gold Eutectic Die Attach Available

Ultrasonic Aluminum Wire Bonds

Ceramic Seal for Improved Hermeticity

Available

Package N = TO-258

P = TO-259

Configuration CT = Common Cathode

CA = Common Anode

•

Common Anode and Doubler Versions

Available

TX, TXV, or Space Level Screening Available

D = Doubler

DR = Doubler Reverse

Family/Voltage

03 = 300V

04 = 400V

05 = 500V

MAXIMUM RATINGS

RATING

SYMBOL

V_RRM

VALUE

300

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage

and DC Blocking Voltage

SDR9103CTN & P

SDR9104CTN & P

SDR9105CTN & P

V_RWM

V_R

400

500

Volts

Average Rectified Output Current ^3/

(Resistive Load, 60Hz, Sine Wave, TA=25^°C)

Peak Surge Current ^4/

I_O

100

Amps

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, TA=25^°C)

I_FSM

500

Amps

^°C

Operating and Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case ^3/

T_OP& T_STG

-65 to +200

R_θJC

0.4

^°C/W

Junction to Case (Each Individual Diode)

0.73

TO-259

TO-258

NOTES:

1/ For ordering Information, Price, and Availability, Contact Factory.

2/ Screening per MIL-PRF-19500

3/ Both Legs Tied Together.

4/ Available with Higher Surge Ratings.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RH0033E

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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与SDR9103DRNS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR9103DRNUB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR9103DRNUBS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR9103DRP	SSDI	获取价格	100 A, 300 V Hyperfast Recovery Centertap Rectifier
SDR9103DRPDB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR9103DRPDBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR9103DRPS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR9103DRPTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR9103DRPUBTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR9103N	SSDI	获取价格	100 AMP 300 - 500 VOLTS 35 nsec HYPER FAST RECTIFIER
SDR9103P	SSDI	获取价格	100 AMP 300 - 500 VOLTS 35 nsec HYPER FAST RECTIFIER

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