Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SDR60010HCTMUBTX

SDR60010HCTMUBTX

更新时间： 2024-01-23 19:54:17

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SSDI		/
页数	文件大小	规格书
3页	168K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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SDR60010HCTMUBTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	HYPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SDR60010HCTMUBTX 数据手册

SDR60010HCT

thru

SDR60020HCT

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

60 AMP

HYPER FAST

CENTERTAP RECTIFIER

100 - 200 VOLTS

35 nsec

SDR60 __ H CT __ __ __

│

└

│

└

│ │ └ Screening ^2/

__ = Not Screened

│ │

│ └

│

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

Lead Bend Options (TO-254, Z)

DB = Down Bend

FEATURES:

│

UB = Up Bend

│

└



Hyper Fast Recovery: 35 ns Maximum

High Surge Rating

Low Reverse Leakage Current

Low Junction Capacitance

Hermetically Sealed Package, isolated

(TO-254, Z) or hot case (SMD1)

Gold Eutectic Die Attach Available

Ultrasonic Aluminum Wire Bonds

TX, TXV, or Space Level Screening

Available

Package

S1= SMD1

M = TO-254

Z = TO-254Z

Recovery Time H = Hyper Fast

Family/Voltage

010 = 100V

015 = 150V

020 = 200V



Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Volts

SDR60010

SDR60015

SDR60020

V_RRM

V_RWM

V_R

100

150

200

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage ^3/

Average Rectified Forward Current ^4/

I_O

250

Amps

ºC

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_C= 100ºC)

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25ºC, per leg)

I_FSM

Operating & Storage Temperature

_OP& T_STG

-65 to +200

Maximum Total Thermal Resistance

Junction to Case, each individual diode, SMD1

Junction to Case, SMD1 ^4/

1.5

1.0

1.8

1.2

R_θJC

ºC/W

Junction to Case, each individual diode, TO-254, Z

Junction to Case, TO-254, Z ^4/

NOTES:

SMD1

TO-254

TO-254Z

1/ For ordering information, price, and availability,

contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows

available on request.

3/ Higher voltages available.

4/ Both legs tied together.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0147B

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR60010HCTMUBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR60010HCTS1S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 P
SDR60010HCTZDB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR60010HCTZDBS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR60010HCTZDBTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SDR60010HCTZDBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR60010HCTZUBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR60015	SSDI	获取价格	HYPER FAST CENTERTAP RECTIFIER
SDR60015HCTMDB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR60015HCTMDBS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,

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