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SDM1M40LP8Q-7

更新时间: 2024-02-29 18:38:30
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 323K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, U-DFN1608-2, 2 PIN

SDM1M40LP8Q-7 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-N2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:5.71
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向恢复时间:0.0084 µs
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SDM1M40LP8Q-7 数据手册

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SDM1M40LP8Q  
10  
1
10000  
1000  
100  
10  
T
=150°C  
A
T
= 150°C  
= 125°C  
A
T
A
0.1  
0.01  
T
= 85°C  
A
T
= 125°C  
A
T
= 85°C  
A
1
0.001  
T
= 25°C  
A
T
= 25°C  
A
0.1  
0.0001  
T
= -55°C  
A
T
= -55°C  
A
0.00001  
0.01  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
VR, INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)  
Figure 2 Typical Reverse Characteristics  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (mV)  
Figure 1 Typical Forward Characteristics  
1.2  
1000  
100  
10  
1
f = 1MHz  
Note 6  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
10  
20  
30  
40  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
Figure 3 Typical Junction Capacitance  
Figure 4 DC Forward Current Derating Curve  
3 of 5  
www.diodes.com  
July 2016  
© Diodes Incorporated  
SDM1M40LP8Q  
Document number: DS39037 Rev. 1 - 2  

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