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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SD700C45L
SD700C45L PDF预览

SD700C45L

更新时间： 2024-01-17 17:16:22
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高压高压大电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
Standard Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 700 A

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SD700C45L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-200AB
包装说明：O-CEDB-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
其他特性：HIGH SURGE CAPABILITY应用：HIGH VOLTAGE POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.66 V
JEDEC-95代码：DO-200ABJESD-30 代码：O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：7850 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：700 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：4500 V表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SD700C45L 数据手册

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SD700C..L Series  
Standard Recovery Diodes  
(Hockey PUK Version), 700 A  
Vishay High Power Products  
FORWARD CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
180° conduction, half sine wave  
VALUES  
700 (345)  
55 (85)  
1310  
7500  
7850  
6310  
6600  
281  
UNITS  
A
Maximum average forward current  
at heatsink temperature  
IF(AV)  
Double side (single side) cooled  
°C  
Maximum RMS forward current  
IF(RMS)  
25 °C heatsink temperature double side cooled  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
No voltage  
reapplied  
A
Maximum peak, one-cycle forward,  
non-repetitive surge current  
IFSM  
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
initial TJ = TJ maximum  
No voltage  
reapplied  
257  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
kA2s  
199  
100 % VRRM  
reapplied  
182  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
(16.7 % x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > π x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
2810  
0.88  
kA2√s  
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
VF(TO)1  
VF(TO)2  
V
0.99  
Low level value of forward  
slope resistance  
rf1  
(16.7 % x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
0.78  
mΩ  
High level value of forward  
slope resistance  
rf2  
(I > π x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
0.73  
1.66  
Maximum forward voltage drop  
VFM  
Ipk = 1000 A, TJ = TJ maximum, tp = 10 ms sinusoidal wave  
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum junction operating  
temperature range  
TJ  
- 40 to 150  
°C  
Maximum storage temperature range  
TStg  
- 55 to 200  
0.011  
DC operation single side cooled  
Maximum thermal resistance,  
junction to heatsink  
RthJ-hs  
K/W  
DC operation double side cooled  
0.05  
9800  
(1000)  
N
(kg)  
Mounting force, 10 %  
Approximate weight  
Case style  
250  
g
See dimensions - link at the end of datasheet  
DO-200AB (B-PUK)  
ΔRthJ-hs CONDUCTION  
SINUSOIDAL CONDUCTION  
RECTANGULAR CONDUCTION  
CONDUCTION ANGLE  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
SINGLE SIDE DOUBLE SIDE SINGLE SIDE DOUBLE SIDE  
180°  
120°  
90°  
0.011  
0.014  
0.018  
0.026  
0.045  
0.011  
0.015  
0.018  
0.026  
0.046  
0.008  
0.014  
0.019  
0.027  
0.046  
0.008  
0.014  
0.019  
0.028  
0.046  
TJ = TJ maximum  
K/W  
60°  
30°  
Note  
• The table above shows the increment of thermal resistance RthJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 93552  
Revision: 14-May-08  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD700C45LPBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 700A, 4500V V(RRM), Silicon, DO-200AB, BPUK-2
SD-70107-0001-0024 MOLEX

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 		2.54mm (.100") Pitch SL™ Wire-to-Wire Crimp H
SD7012 ETC

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 		Triple Tone Medoly Generator
SD7015 ETC

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 		Triple Tone Melody Generator With Simple Flash Control
SD7017 ETC

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 		2-STATE ENCODER / DECODER
SD7018 ETC

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 		2-STATE ENCODER / DECODER
SD702 POLYFET

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 		SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SD-70287-003 MOLEX

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 		2.54mm (.100") Pitch C-Grid® Header
SD-70287-004 MOLEX

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