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SBT10150LCT_T0_00001

更新时间： 2024-10-02 01:22:19
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强茂 - PANJIT 局域网功效瞄准线二极管
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描述
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SBT10150LCT_T0_00001 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.86 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：40 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SBT10150LCT_T0_00001 数据手册

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SBT10150LCT  
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
10 Ampere  
VOLTAGE  
150 Volt  
CURRENT  
FEATURES  
• Ultra low forward voltage drop, low power loss  
• High efficiency operation  
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)  
MECHANICAL DATA  
• Case : TO-220AB, Plastic  
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Weight: 0.067 ounces, 1.89 grams.  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
150  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
RMS  
Maximum rms voltage  
V
105  
150  
V
V
Maximum dc blocking voltage  
VR  
per device  
Maximum average forward rectified current  
per diode  
10  
5
I
F(AV)  
A
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
I
FSM  
80  
A
Typical thermal resistance  
(Note 1)  
R
ΘJC  
2
OC/W  
oC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
T
J
-55 to + 150  
-55 to + 150  
TSTG  
oC  
Note : 1. Device mounted on a infinite heatsink.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
MIN.  
150  
TYP.  
-
MAX.  
-
UNIT  
V
Breakdown voltage per diode  
BR  
I
R=0.5mA  
TJ  
=25oC  
=25oC  
I
I
I
F=1A  
F=3A  
F=5A  
-
-
-
0.64  
0.75  
0.81  
-
-
TJ  
V
0.86  
Instantaneous forward voltage per diode  
VF  
I
I
F
=1A  
=3A  
-
-
0.51  
0.61  
-
-
T
J
J
=125oC  
V
F
V
R
=120V  
T
=25oC  
-
1
-
μA  
Reverse current per diode  
November 2,2016-REV.01  
I
R
T
T
J
J
=25oC  
-
-
-
40  
-
μA  
mA  
VR=150V  
=125oC  
1.5  
PAGE . 1  
1234

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